決算説明：KOKUSAI ELECTRIC（6525）

2026年３月期第１四半期（2025年4月～6月）決算説明資料

決算説明サマリー（Markdown形式）

※資料：株式会社 KOKUSAI ELECTRIC「2026年3月期第1四半期（2025年4月〜6月）決算説明資料」（発表日：2025年8月7日）をもとに整理。

基本情報

• 企業概要
  • 企業名：株式会社 KOKUSAI ELECTRIC
  • 主要事業分野：半導体製造装置（バッチ成膜装置・トリートメント装置等）および装置に関するサービス（保守・改造等）
• 説明会情報
  • 開催日時：2025年8月7日（決算説明資料の日付）
  • 説明会形式：–（資料はプレゼンテーション形式）
  • 参加対象：投資家・アナリスト等（資料自体は決算説明資料）／明記なし
• 説明者
  • 発表者（役職）：–（資料に個別の発表者名・役職の明記なし）
  • 発言概要（資料の主なメッセージ）
  • 1Qは前年同期に集中した中国地場向け装置出荷が平常化し、前年同期比で減収減益。
  • 生成AI向けの高性能LogicやDRAMを中心にWFE（半導体製造装置）市場は高水準で推移。NAND投資は再開。
  • 上期は概ね計画通り、下期（特に4Q）に装置中心で売上が伸長する見込みのため、通期業績予想に変更なし。
• 報告期間
  • 対象会計期間：2026年3月期 第1四半期（2025年4月～6月）
  • 決算説明会（資料）提出予定日／発表日：2025年8月7日（資料日付）
  • 配当支払開始予定日：–（期中配当の支払スケジュール明記なし）
• セグメント（資料上の扱い）
  • 主な事業区分：装置（装置売上）／サービス（サービス売上）
  • 製品・用途別区分：NAND、DRAM、Logic/Foundry、300mm装置、200mm以下装置、SiC/GaNパワーデバイス 等

業績サマリー（第1四半期：2026年3月期1Q）

（単位は資料に準じて 億円。比較は前年同期比、通期予想との進捗率を併記）
– 主要指標（連結、26/3期 1Q）
– 売上収益：518 億円（51,789 百万円）／前年同期比 △20.6%（25/3期1Q：652 億円）
– 売上総利益：222 億円（22,220 百万円）／前年同期比 △24.3%
– 売上総利益率：42.9%（前年1Q比 △2.1pt）
– 調整後営業利益：109 億円（10,902 百万円）／前年同期比 △43.8%
– 調整後営業利益率：21.1%（前年1Q比 △8.6pt）
– 営業利益：97 億円（9,717 百万円）／前年同期比 △45.6%
– 税引前利益：93 億円（9,322 百万円）／前年同期比 △47.5%
– 当期（四半期）利益：68 億円（6,776 百万円）／前年同期比 △49.1%
– 研究開発費：39 億円（3,851 百万円）／前年同期比 ＋15.0%
– 設備投資額：23 億円（2,302 百万円）／前年同期比 △79.5%
– 減価償却費：34 億円（3,417 百万円）／前年同期比 ＋17.3%
– 1株当たり配当金（会社予想・通期）：36 円（中間18円、期末18円、前期は合計37円）
– 進捗状況（通期予想に対する1Q進捗）
– 通期売上予想（26/3期予想）：2,440 億円 → 1Q進捗率：518 / 2,440 ≒ 21.2%
– 調整後営業利益 予想：552 億円 → 1Q進捗率：109 / 552 ≒ 19.7%
– 当期利益 予想：360 億円 → 1Q進捗率：68 / 360 ≒ 18.9%
– 資料の立場：上期は概ね計画通り、下期に売上・利益が偏重する計画のため1Q減収減益は想定内としている（通期予想は据え置き）
– セグメント別状況（第1四半期）
– ビジネス別（25/3期1Q → 26/3期1Q、億円）
– 装置売上：439 → 317（装置は前年同期比 約△28%）
– サービス売上：214 → 201（サービスは前年同期比 △6%）
– 1Q構成比（26/3期1Q）：装置 61%、サービス 39%（前年1Qは装置 67%、サービス 33%）
– アプリケーション別（25/3期1Q → 26/3期1Q、億円）
– NAND：増（1Qで前年同期比 +116%）
– DRAM：大幅減（△73%）
– Logic/Foundry：減（△8%）
– 300mm装置が主力（1Qは300mm装置317億のうち大部分を占める）
– 地域／アカウント別
– 中国地場向け売上：194 → 194?（資料で1Q中国地場比率は38%） → 26/3期1Q中国地場比率 38%
– 世界各国向け（非中国）比率は上昇（世界各国比率 62%）
– 仕向け別：海外459 億円、日本59 億円（26/3期1Q）

業績の背景分析

• 業績概要（ハイライト）
  • 第1四半期は前年同期に集中した中国地場向け装置出荷が平常化した影響で減収減益。
  • 先端デバイス向け（特にNANDの世代交代向け、先端Logic/Foundry向け）での装置販売・改造は好調。
  • 市場環境としては、生成AI用途を起点に高性能Logicや一部DRAM向けの投資は堅調、NAND投資も回復基調にあるが、民生向けや自動車・産業向けは軟調。
• 増減要因（資料の説明）
  • 売上減少の主因：前期1Qに集中した中国地場向け装置の出荷が薄まったこと（販売減少）。
  • 利益減少の主因：販売減少に伴う売上総利益の減少（売上総利益率の低下により調整後営業利益が大幅減）。
  • 製品別寄与（1Q増減要因の説明より）：NANDは前年同期比増、DRAMは前年同期比で大幅減、Logicは減少だが先端装置は底堅い。
  • 費用面：研究開発費は計画通り（1Qで研究開発費率上昇）、設備投資は大型投資が一巡し1Qは小幅。
• 競争環境
  • 資料引用の市場シェア（外部データを引用）：
  • 当社はバッチALD対応装置で世界シェア70%超（CY24推定）、トリートメント装置（RTP/Oxidation/Diffusion）でも高シェア（50%超）等の記載あり。
  • 他社としてGartnerの区分でTokyo Electron、Applied Materialsなどが挙がっている（資料に引用）。
  • 競争優位性：高付加価値のバッチ・トリートメント系に強みを持つ点を強調（資料記載）。比較はGartner/TechInsightsの引用を基にしている。
• リスク要因（資料記載含む）
  • 外部：為替相場の変動、半導体メーカーの設備投資サイクル・端境期、関税政策の間接影響、マクロ需要の変化（コンシューマ／自動車等の回復遅れ）。
  • サプライチェーン、規制変更、顧客集中（地域・メーカー別の偏り）等により業績が変動する可能性。
  • 資料注記：主要リスクは有価証券報告書に記載。

戦略と施策

• 現在の戦略（中期経営計画の要点、資料より）
  • 目標（中期）：売上高 3,300 億円以上、調整後営業利益 990 億円以上（調整後営業利益率30%以上）を中期目標に設定。
  • ターゲット市場：先端デバイス（次世代DRAM、GAA Logic、3D NAND等）、SiC/GaNパワーデバイス市場の拡大等。
  • 製品戦略：高付加価値製品（バッチALD対応装置、枚葉トリートメント装置等）の比率拡大とPOR拡大。
  • 地域戦略：中国地場向けの比率低下を吸収しつつ、世界各国向けの売上比率拡大を想定。
• 進行中の施策（第1四半期の活動）
  • 研究開発・共同研究：横浜国立大学と次世代3D半導体向け新規膜と接合プロセスの実証（25/6）。
  • マーケティング／顧客対応：SEMICON等展示会出展、TechInsightsの顧客満足度調査で「Top 10 Customer Service」受賞（継続的な受賞）。
  • ESG・施設投資：RE100参画、事業所での再生可能エネルギー利用拡大、社会貢献活動等。
• セグメント別施策と進捗
  • NAND：世代交代に伴う高付加価値装置・改造の販売を強化。中国地場向け・世界各国向けとも世代交代需要を見込む。
  • DRAM：先端（HBM/先端DRAM）向けで需要は増加。汎用DRAMは回復が遅い想定で慎重に見積もり。
  • Logic/Foundry：GAA第1世代向け売上増を捉え、次世代GAAや欧米成熟ノードでのシェア拡大を継続。
  • SiC/GaN（サービス中心）：既存サービスの売上伸長、新製品（高温活性化アニール等）でPOR獲得を進める。
  • サービス：装置アフターサービス、改造ビジネスでの収益拡大を継続（サービス比率の維持・拡大を想定）。

将来予測と見通し

• 次期（通期）業績予想（5月13日公表の数値）
  • 売上収益（通期予想）：2,440 億円（前期比 ＋2.1%）
  • 売上総利益（通期予想）：1,044 億円（前期比 ＋2.7%）
  • 調整後営業利益（通期予想）：552 億円（前期比 △4.4%）
  • 調整後当期（半期/通期）利益：401 億円（通期、前期比 △5.2%）
  • 当期（通期）利益：360 億円（前期比 ±0%）
  • 1株当たり配当金（通期予想）：36 円（中間18円、期末18円、前期は37円→1円減）
  • 根拠（資料説明）：上期は概ね計画通りの推移、下期に装置販売が伸長する見込みで通期数値は据え置き。世代交代投資が中心に売上増を見込むが、先行投資により販管費が増加し営業利益は微減想定。
• 中長期計画の進捗性
  • 中期目標に向け、製品構成の高付加価値化（ALD・トリートメント等）で収益性向上を目指す。資料では市場成長見込み（WFEの長期成長）に基づく戦略を提示。
• マクロ経済・市場要因
  • 半導体WFE市場見通し：CY25はCY24並みの見通し（先端は好調、成熟ノードは停滞）。長期ではデータセンター拡充やグリーントランスフォーメーション等により成長期待。
  • 為替・関税リスク：外貨建て資産負債や一部外貨売上等により業績に影響を与える可能性。関税政策の間接影響も業績見直し要因に挙げられている。

配当と株主還元

• 配当方針（資料に明確な方針表現がある場合の要約）
  • 基本は安定的な配当：通期配当予想は36円（中間18円、期末18円）。配当性向（調整後当期利益ベース）予想は約20.9%（資料記載）。
• 配当実績（比較）
  • 25/3期（前期）：年間合計 37 円（中間18円、期末19円）
  • 26/3期（予想）：年間合計 36 円（中間18円、期末18円） → 前期比 △1円
• 特別配当：資料上の特別配当の記載なし（特別配当：なし）

製品やサービス

• 主要製品
  • バッチ処理装置（バッチCVD、バッチALD対応装置等）— TSURUGI‑C²®（剱®）シリーズ、AdvancedAce® シリーズ 等
  • トリートメント装置（枚葉処理、RTP、酸化・拡散等）— MARORA®、TANDUO® 等
  • 新製品・技術動向：高温活性化アニール新製品、ALD関連ソリューション開発等
• サービス
  • 装置保守、改造、プロセス認定（POR：Process of Record）支援等。サービス売上は通期で約30%前後を占める想定。
  • サービスは地域・装置稼働に密着した収益を提供（資料でサービス比率の推移を提示）。
• 協業・提携
  • 横浜国立大学との共同研究（次世代3D半導体向け新規膜・接合プロセスの実証）
  • 業界イベント出展（SEMICON、MEMS Forum等）
  • 外部調査機関（TechInsights、Gartner等）による市場データを参照した戦略立案

重要な注記

• 会計方針
  • 連結財務諸表はIFRSに基づき作成（2021年3月期よりIFRS適用）。
  • 調整後営業利益、調整後当期利益は経営指標として提示。調整内訳は決算短信に記載（無形資産償却、スタンドアローン費用、株式報酬等の調整項目あり）。
• リスク要因（資料の特記事項）
  • 為替変動、顧客の設備投資サイクル（端境期）、関税・政策の間接影響、供給制約、規制変化などが業績に重要な影響を与える可能性あり。主なリスクは有価証券報告書参照との注記。
• その他（重要な告知等）
  • KKRによる保有株式の一部売却（7月10日付でKKRの保有比率は資料提示時点で11%に低下、売却後は約10.60%に減少との記載あり）
  • 次回決算時（2Q）に下期予想の見直しを行う可能性がある旨（5月公表時点の注記）。

（以上）
必要であれば、以下について追加で整理します：
– 表形式の数値抜粋（損益計算書・貸借対照表・キャッシュフローの主要数値）
– セグメント別および用途別の年次推移グラフ要約
– 中期経営計画（数値目標）と進捗の詳細計算（CAGR等）

※本要約は提供資料に基づく事実の整理です。投資判断を目的とした助言・推奨は含みません。

上記の内容は、AIによる自動要約に基づいて作成されたものであり、正確性や網羅性について保証するものではありません。内容の解釈や利用に際しては、必ず公式の決算説明 をご参照ください。信頼性を確保するよう努めていますが、情報の完全性についてはご自身での確認をお願い致します。

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このレポートは、AIアドバイザー「シャーロット (3.0.2)」によって自動生成されました。

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